应梁玉军教授的邀请,长江存储科技有限责任公司质量和可靠性部门技术专家魏强民博士到我校做学术报告。
报告地点: 学海楼109
报告时间: 2019年7月5日上午10:00
报告题目: 三维半导体存储器(3D NAND)简介
报告人简介:
魏强民，男，博士，长江存储科技有限责任公司质量和可靠性部门技术专家。2009年于美国密西根获得材料科学与工程博士学位。2009年-2011年，美国洛斯阿拉莫斯国家实验室(Los Alamos National Lab)做博士后。2011年-2017年，美国美光科技有限公司(Micron Technology Inc.)从事三维半导体存储器的研发工作。2017年加入长江存储科技有限责任公司。在Physical Review Letters, Advanced Materials, Physical Review B, Acta Materialia等期刊发表SCI索引论文60余篇，申请专利10个，出版英文专著1部。
报告摘要:
长江存储科技有限责任公司是一家集芯片设计、工艺研发、晶圆生产与测试一体的半导体存储器企业，成立于2016年7月，是我国集成电路产业跨越式发展的重大战略需求，总投资240亿美元。从长江存储正在研制的3维存储芯片(3D NAND)的基本存储单元出发，结合存储芯片研发中遇到的失效实例，简要介绍3D NAND存储器工艺架构，工作机理，电学特征，以及急需解决的材料问题，并探讨3D NAND中材料的作用、合成和表征方法。
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材料与化学学院
纳米矿物材料及应用教育部工程研究中心
2019/7/3
